本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件，包含有一半导体衬底、至少一晶体管单元、一栅极金属层、一源极金属层以及一第二栅极导电层。半导体衬底具有至少一个第一沟槽。晶体管单元包含有一设置在第一沟槽内的第一栅极导电层。栅极金属层与源极金属层设置在半导体衬底上。第二栅极导电层设置在第一栅极导电层与源极金属层之间。第二栅极导电层电性连接第一栅极导电层与栅极金属层，且第二栅极导电层与源极金属层以及半导体衬底电性绝缘。借此，各晶体管单元的各栅极的电阻可被降低，且沟槽型功率晶体管组件的栅极输入电阻也可被缩小。