本发明提供一种覆晶接合方法及装置。该方法包括：置放一第一半导体芯片于一封装基板上，其中该第一半导体芯片的凸块接触该封装基板的第一表面；固定该封装基板；及加热该封装基板及该第一半导体芯片，其中在加热过程中，该封装基板的变形受到限制，且该第一半导体芯片可自由地变形。