本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置，属于半导体制造技术领域。所述薄膜晶体管的半导体层由金属氧化物制作形成，所述薄膜晶体管的制造方法采用两步刻蚀来形成TFT沟道，第一步通过干法刻蚀，去除半导体层上方沟道区域的源漏金属层的一部分，第二步通过湿法刻蚀，去除半导体层上方沟道区域剩余的源漏金属层，形成TFT沟道。根据本发明，在不需要形成刻蚀阻挡层的前提下，能够实现对TFT沟道下方的金属氧化物半导体层的保护。