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薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置
编号:S000019657
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-26
浏览:
1999
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法、阵列基板的制造方法及显示装置,属于半导体制造技术领域。所述薄膜晶体管的半导体层由金属氧化物制作形成,所述薄膜晶体管的制造方法采用两步刻蚀来形成TFT沟道,第一步通过干法刻蚀,去除半导体层上方沟道区域的源漏金属层的一部分,第二步通过湿法刻蚀,去除半导体层上方沟道区域剩余的源漏金属层,形成TFT沟道。根据本发明,在不需要形成刻蚀阻挡层的前提下,能够实现对TFT沟道下方的金属氧化物半导体层的保护。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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