一种晶体管及其形成方法，其中所述晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内形成含碳的硅锗应变层；在含碳的硅锗应变层上形成栅极结构。本发明实施例的方法，提高沟道区载流子的迁移率。