本发明涉及一种晶体管组件及其制造方法。晶体管组件的实施例包括：半导体主体；布置在其中的有源晶体管区域；环状包围半导体主体中的有源晶体管区域的绝缘区域；在有源晶体管区域中的源区、漏区、基体区和漂移区，源区和漏区在半导体主体的横向方向上间隔开布置且基体区布置在源区和漂移区之间，而漂移区布置在基体区和漏区之间；门-和场电极，其布置在有源晶体管区域上方，与绝缘区域至少在漏区的范围内重叠，通过电介质层相对于有源晶体管区域绝缘，电介质层在基体区范围内具有第一厚度且在漂移区范围内逐段具有第二厚度，其大于第一厚度，且门-和场电极具有位于漏区上方的第一接触开口；和漏极，其通过第二接触开口与漏区接触。