沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面和第二表面。所述半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体本体内的沟槽结构。所述沟槽结构包括在沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分。所述第一部分中的沟槽结构的宽度等于第二部分中的沟槽结构的宽度。所述半导体器件进一步包括在沟槽结构的侧壁处毗连第一和第二栅极介电部分的本体区。所述第一栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d₁和第二栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d₂满足50nm？1-d₂。