一种NMOS晶体管及MOS晶体管的形成方法，其中所述NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有NMOS晶体管；在所述半导体衬底上形成拉应力的氮化硅层，所述拉应力的氮化硅层覆盖所述NMOS晶体管的栅极侧壁和顶部表面；在拉应力的氮化硅层上形成保护层，所述保护层露出NMOS晶体管栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层；对所述NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层进行等离子体处理，提高NMOS晶体管的栅极的顶部表面的拉应力的氮化硅层的杨氏模量；去除保护层。本发明实施例提高了拉应力层中的应力。