本发明涉及一种用于确定由p掺杂的半导体材料制造的样品的填隙氧浓度的方法，该方法包括：样品的为了形成热施体的热处理步骤(F1)，确定获得补偿的半导体材料所需的热处理时间(t)(F1)，从电荷载流子浓度(p₀)确定补偿的半导体材料制成的样品中的热施体浓度(N_TDD)(F2)，以及从热施体浓度(N_TDD)和热处理的时间(t)确定氧浓度(C_o)(F3)。