本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域。在不影响像素开口率的前提下，可以增大薄膜晶体管沟道的宽长比。该薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，以及半导体有源层。其中源极覆盖半导体有源层的四周，漏极位于半导体有源层的中心区域，在源极和漏极之间设有绝缘层。