一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构；在紧邻所述栅极结构两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成离子注入区，所述离子注入区的部分延伸至栅极结构下方的半导体衬底内；采用干法刻蚀工艺去除半导体衬底内的所述离子注入区，形成开口；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述开口，使所述开口向栅极结构下方延伸；在湿法刻蚀后，在所述开口内形成应力衬垫层。由所述晶体管的形成方法所形成的晶体管的载流子的迁移率提高，漏电流降低，晶体管的性能提高，可靠性增强。