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一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法
编号:S000019622 刷新日期: 有效日期至:2020-11-20 浏览:2428 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 福建 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底,在衬底上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在半导体层底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结,即内建电场呈与表面平行分布的结构,光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动,同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下,所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求,可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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