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薄膜晶体管及其制作方法和显示器件
编号:S000019615 刷新日期: 有效日期至:2020-11-15 浏览:2446 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明的实施例提供薄膜晶体管及其制作方法和显示器件。该薄膜晶体管的制作方法包括形成栅极、栅极绝缘层、源电极和漏电极的过程,还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程。所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括:对栅极绝缘层进行图案化处理以在栅极绝缘层中形成相互连通的第一凹槽和第二凹槽;在所述第一凹槽中形成所述半导体层,在所述第二凹槽中形成所述欧姆接触层;所述第一凹槽与所述半导体层的形状相一致,所述第二凹槽与所述欧姆接触层的形状相一致。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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