本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一具有第一外延生长面的基底；在外延生长面设置一碳纳米管层；在第一外延生长面垂直生长本征半导体层；去除所述碳纳米管层，得到表面具有纳米微结构的外延衬底；将所述外延衬底具有纳米微结构的表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域，以暴露部分第一半导体层；以及，形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。本发明发光二极管的制备方法工艺简单。