本发明提供一种封装成本低、发光效率高、散热好的发光二极管芯片的制造方法。在蓝宝石衬底上依次生长出氮化镓缓冲层，负型半导体材料层、发光层与正型半导体材料层；在正型半导体材料层上同时刻蚀出电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽，并在所述电流阻挡区域和定义单颗芯片的切割槽内填充绝缘材料；在正型半导体材料层上粘附导电支撑基材，剥离蓝宝石衬底；将剥离蓝宝石衬底后显露的氮化镓缓冲层去除，至显露出负型半导体材料层，再将负型半导体材料层的出光面粗化；在所述的负型半导体材料层上镀上负电极；切割导电支撑基材，崩裂外延片分离成单颗芯片。