一种动态记忆体结构，包含位于基材上的条状半导体材料、跨越条状半导体材料的栅极，而将条状半导体材料分成源极端、漏极端及通道区，其中源极端的源极宽度大于或等于通道区的宽度、至少部分夹置于栅极与条状半导体材料间的介电层、以及位于基材上，包含作为下电极的源极端的电容单元。