本发明提出了一种形成在半导体衬底上的半导体功率器件，包括在轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近的重掺杂区。该半导体功率器件还包括一个本体区、一个源极区以及一个设置在半导体衬底的顶面附近的栅极，以及一个设置在半导体衬底的底面处的漏极。该半导体功率器件还包括在重掺杂区中打开源极沟槽，并用导电沟槽填充材料填充，与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括一个掩埋场环区，设置在源极沟槽下方，掺杂物的导电类型与重掺杂区的导电类型相反。在一个可选实施例中，该半导体功率器件还包括被源极沟槽侧壁包围的掺杂区，掺杂物的导电类型与掩埋场环区的导电类型相同，作为电荷供应通路。