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一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件
编号:S000019591 刷新日期: 有效日期至:2020-12-29 浏览:2351 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件,涉及显示器件制造技术领域,提高薄膜晶体管的特性。该薄膜晶体管,包括:在透明基板上依次形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层和源电极和漏电极层;通过对半导体有源层采用分层优化的方案,形成低氧、高导通半导体的层和高氧、低导通半导体的层;实现低的关态电流Ioff和高的开态电流Ion;同时由于是分层优化方案也降低了工艺过程对半导体有源层的影响。本发明实施例用于薄膜晶体管、阵列基板的制造,及利用上述薄膜晶体管、阵列基板驱动的显示器件。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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