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薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置
编号:S000019590 刷新日期: 有效日期至:2020-12-13 浏览:2417 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 广东 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置,该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层,其中,多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间,其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层,第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm,第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。通过以上方式,本发明保证了薄膜晶体管电性正常,从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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