本发明提供了薄膜晶体管、用于制造该薄膜晶体管的方法、以及显示设备。根据一个实施例，薄膜晶体管包括衬底、栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、第二绝缘膜、源电极、以及漏电极。栅电极设置在衬底的一部分上。第一绝缘膜覆盖栅电极。氧化物半导体膜经由第一绝缘膜设置在栅电极上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜的一部分上。源电极和漏电极分别连接到未用第二绝缘膜覆盖的氧化物半导体膜的第一和第二部分。氧化物半导体膜包括氧化物半导体。第一和第二绝缘膜中的含氢浓度分别不小于5×10²⁰原子/cm^-3，并且不大于10¹⁹原子/cm^-3。