本发明公开了一种形成FinFET的方法，该方法利用硬掩膜在刻蚀中能够保持良好的表面粗糙度的性质，通过硬掩膜形成半导体鳍状物的形貌，再进行湿法刻蚀去除硬掩膜，以形成凹槽，并在半导体基底和由相对于湿法刻蚀剂呈现低选择性的介质材料构成的该凹槽内外延形成半导体鳍状物，使得外延生长的该半导体鳍状物表面继承了硬掩膜良好的表面粗糙度，进而提高了半导体器件的性能。