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横向沟槽MESFET
编号:S000019554 刷新日期: 有效日期至:2020-11-23 浏览:2412 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及横向沟槽MESFET。一种晶体管包括在半导体主体中形成的沟槽,所述沟槽具有侧壁和底部。所述晶体管进一步包括设置在所述沟槽中与所述侧壁相邻的第一半导体材料以及设置在所述沟槽中并且通过所述第一半导体材料与所述侧壁隔开的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述第一半导体材料的带隙。所述晶体管还包括设置在所述沟槽中并且通过所述第二半导体材料与所述第一半导体材料隔开的栅极材料。所述栅极材料提供所述晶体管的栅极。源极和漏极区域布置在所述沟槽中,其中插入在所述源极和漏极区域之间的沟道在第一或第二半导体材料中,以使得所述沟道具有沿所述沟槽的侧壁的横向电流流动方向。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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