本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体功率器件，并且具有一个有源晶胞区和一个边缘端接区，其中边缘端接区包括一个具有交替导电类型的掺杂半导体立柱的超级结结构，带有掺杂半导体立柱之间的电荷不平衡，以便在边缘端接中形成一个鞍型结电场。