本发明提供了一种内建应力硅纳米线的制作方法，采用后栅工艺（Gate-last），在进行栅极区域刻蚀时，SiNWFET区域侧面已有无定形碳层保护，这时栅极区域的SiNW受到的反向应力方向是水平方向的，避免了硅纳米线反向内建应力不在水平方向的问题，从而避免了硅纳米线中间部位可能发生的发生错位，甚至断裂问题。由于源漏PAD上表面高于SiNW，可以实现源漏和栅极上表面在同一平面，从而不需要栅极侧墙工艺，简化了工艺流程。