本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法及相关装置，在薄膜晶体管中的有源层采用非晶态磷化物半导体材料制备。由于磷化物半导体材料的载流子的迁移率比较高，因此，相对于现有的薄膜晶体管的有源层采用非晶硅、多晶硅、微晶硅或氧化物半导体材料制备，采用非晶态磷化物半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，可以得到载流子迁移率较高的薄膜晶体管。