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蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置
编号:S000019506 刷新日期: 有效日期至:2021-01-01 浏览:2411 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
蚀刻方法,其包括:对蚀刻水溶液施加放射线;和通过使用被放射线照射的蚀刻水溶液对待蚀刻的材料进行蚀刻。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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