提出了一种具有凹陷的源电极接触的横向DMOS及形成横向DMOS的方法。根据本发明实施例的横向DMOS包括凹陷的源电极接触，其中该凹陷的源电极接触包括凹陷部分，所述凹陷部分纵向延伸穿过横向DMOS的源区并与其体区接触，并且所述凹陷部分与所述源区和所述体区电气耦接。根据本发明实施例的横向DMOS不仅具有较小的尺寸而且生产成本相对低。