本发明提供一种压应变GeSn？p沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102，103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（106）。SiGeSn缓冲层（107）层的晶格常数比GeSn沟道（104）晶格常数小，GeSn沟道形成XY面内的双轴压应变。这种应变可提高GeSn沟道（104）空穴迁移率，从而提高MOSFET性能。