本发明公开了一种存储装置及其制造方法，该存储装置包含串联安排的一第一导体，一二极管，一存储元件，及一第二导体。该二极管包括于一侧壁半导体层中的一PN结。此二极管包括一第一半导体层位于第一导体之上且与其电性沟通。一具有侧壁的图案化绝缘层于此第一半导体层之上。此二极管包括一中间半导体层于该侧壁的第一部分，且与第一半导体层接触。此中间半导体层具有较第一半导体层更低的载子浓度且可以是本征半导体。在该侧壁的第二部分并与该中间半导体层接触的第二半导体层，具有较中间半导体层更高的载子浓度。一存储元件与第二半导体层电性耦接。此第二导体与存储元件电性耦接。