本发明提出了一种设置在半导体衬底中的半导体器件。该半导体器件包括一个在第一主平面上的第一导电类型的第一半导体层。该半导体器件还包括一个第二导电类型的第二半导体层，在第一主平面对面的第二主平面上。该半导体器件还包括一个第一导电类型的注入效率控制缓冲层，直积设置在第二半导体层下方，以控制第二半导体层的注入效率。