本发明涉及图形化碳纳米管中的接触。更具体而言，涉及一种结构，其包括具有布置在表面之上的碳纳米管（CNT）的衬底。CNT部分地布置在保护性电绝缘层中。该结构还包括布置在衬底之上的栅极堆。CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第一部分穿过栅极堆。源极接触和漏极接触与栅极堆相邻布置，其中CNT的没有被保护性电绝缘层覆盖的长度的第二部分和第三部分导电耦合到源极接触和漏极接触。栅极堆及源极接触与漏极接触包含在保护性电绝缘层中并且包含在布置在保护性电绝缘层之上的电绝缘有机平面化层中。还描述了一种制造基于CNT的晶体管的方法。