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半导体器件、制造方法以及晶体管电路
编号:S000019474
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-26
浏览:
2240
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种晶体管电路包括:第一高电子迁移率晶体管;以及第二高电子迁移率晶体管,具有负阈值电压,其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极,以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极。本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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