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基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法
编号:S000019458
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-20
浏览:
2465
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 江苏
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
技术转让
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及了一种基于锰掺杂铜铟锌硫的双色荧光半导体纳米材料的制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)制备CuInS
2
/ZnS量子点,并将其提纯后溶于正己烷;(2)再将(1)中的CuInS
2
/ZnS量子点加入十八碳烯(ODE),在氩气环境下,加热至150℃注入Mn(Ac)
2
(醋酸锰)、油胺的混合溶液,并在此温度下保持1小时,随后升温至240℃,注入Zn(Ac)
2
、油酸/DDT、ODE的混合溶液,在此温度下反应1小时后降至室温,得到CuInS
2
、ZnS:Mn/ZnS的量子点纳米材料。该材料能代替黄色荧光粉制备白光LED,锰掺杂的铜铟锌硫量子点是一种无毒、绿色、环保的纳米材料,在可见光范围内有两个荧光峰位,峰位大致在525nm和590nm,两荧光峰的相对强度可通过调节锰的含量来调节。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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