本发明涉及一种半导体器件多级场板终端结构及其制造方法。多级场板终端结构为阶梯结构，用于IGBT芯片和快恢复二极管FRD中，多级场板终端结构包括衬底区表面的栅极氧化膜和场氧化膜层、沉积在栅极氧化膜和场氧化膜层上的多晶硅栅极、沉积在场氧化膜层上的隔离氧化膜以及沉积在隔离氧化膜上的SiO₂薄膜；在隔离氧化膜和SiO₂薄膜之间设置SiO_xN_y层，SiO_xN_y层为腐蚀阻挡层。本发明提供的结构终端为五个台阶，终端面积小，对界面电荷不敏感，突破国外四台阶多级场板结构专利的封锁；多级场板场氧化膜层中间及SiO₂薄膜下添加SiO_xN_y薄膜层作为腐蚀阻挡层，降低对工艺精度的要求，操作简单，由于SiO_xN_y具有良好的致密性，阻止外部杂质离子侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。