本发明提供一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管及其制造方法，基于SOI衬底片结合深沟槽的全介质隔离技术，能够彻底消除以往体硅电路中存在的寄生闩锁效应。采用双栅氧工艺流程制备的厚栅氧的高压MOS管，可靠性好，开启电压得到提高。所述高压MOS管的漏区结构中形成漏区结终端扩展技术，所述高压MOS管的源区结构中形成了源区结终端扩展技术，用于调节器件的阈值电压，具有双层作用。源区结终端扩展技术和漏区结终端扩展技术一起组合使用，形成了双区结终端扩展技术，进一步提高器件耐压，从而减小器件尺寸，缩小版图面积，提升芯片的集成度。源区结构在多晶场板上方位置设有铝场板，与源极短接，可以提高器件的耐压。