本发明公开了一种基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将a面6H-SiC衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；（2）在a面SiC衬底上生长厚度为100-200nm，温度为600-800℃的无应力AlInN成核层；（3）在所述无应力AlInN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为5-100μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的高V-Ш比a面GaN缓冲层；（4）在GaN缓冲之上用PECVD在200-250℃淀积3-9s的SiN_x插入层；（5）在SiN_x插入层之上生长厚度为2000-4000nm，镓源流量为50-200μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的低V-Ш比a面GaN缓冲层；（6）在缓冲层上再生长厚度为15-30nm，铟源流量为90-250μmol/min，氨气流量为1000-5000sccm的InN材料。本发明具有质量高、表面平整的优点，可用于制作InN基发光器件。