本发明涉及一种采用金属硅化物的功率半导体器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第一导电类型发射区；所述第一导电类型漂移区正面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶栅；在所述第二导电类型基区上设有发射极，发射极与第二导电类型基区和该第二导电类型基区内的第一导电类型发射区相接触，多晶栅上设有栅电极；其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面形成第二导电类型集电区，在第一导电类型漂移区的背面淀积第一集电金属区，第一集电金属区上淀积第二集电金属区。本发明所述半导体器件的背面采用Pb、Pt 或Ni金属淀积，形成金属硅化物，电阻率较低，有利于形成欧姆接触。