本发明公开了一种宽光谱半导体超辐射发光二极管的制作方法，其制作步骤为：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下限制层、多量子阱有源层、上限制层、波导层、欧姆接触层、牺牲层；步骤2：采用掩膜方法在牺牲层上制作掩膜，所述掩膜的占空比随位置变化，且占空比同预期的带隙偏移量相对应；步骤3：采入缺陷引入方法处理暴露的牺牲层，然后高温退火处理；步骤4：去除残余的掩膜及牺牲层，光刻并刻蚀波导层和欧姆接触层，形成脊型波导结构，制作电极，完成器件的芯片结构制作；步骤5：解离芯片成管芯，在管芯出光的端面镀膜，形成宽光谱半导体超辐射发光二极管；本发明方法工艺简单，无需特殊的外延生长技术或多次光刻沉积过程，成本低廉。