具结终端扩展结构的功率半导体器件及该结构的制造方法。本发明涉及一种结终端扩展结构的制造方法，包括下列步骤：在晶圆管芯的终端结构上进行主结光刻；对终端结构进行离子注入形成主结；在终端结构上进行扩展区光刻，主结的注入窗口位于扩展区的注入窗口内；对终端结构再次进行离子注入形成扩展区；对主结和扩展区进行扩散，扩散后的主结结深大于扩展区结深。本发明还涉及一种具有结终端扩展结构的功率半导体器件。本发明相对于传统技术减少了一次扩展区的扩散及表面氧化的步骤，能够节省成本，且因缩短了整个制造流程的总时间而提高了生产效率。同时由于减少了一次高温扩散的步骤，器件的可靠性得到进一步保障。