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带有芯片尺寸衬底的扇出型半导体器件及制备方法
编号:S000019390 刷新日期: 有效日期至:2021-01-04 浏览:2285 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明一般涉及一种半导体器件及其制备方法,更确切的说,本发明旨在提供一种在晶圆级芯片的封装步骤中弱化芯片崩裂的风险及获得较小封装尺寸的芯片的封装方法。提供以支持晶圆并在其多个芯片安装区内形成金属互连结构,从而将芯片倒装安装到芯片安装区,其中芯片的多个焊垫与多个金属互连结构一一对准焊接,之后将芯片塑封起来并从减薄的支撑晶圆上切割下来。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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