本发明提出一种双扩散漏极金属氧化物半导体(double？diffused？drain？metal？oxide？semiconductor,DDDMOS)元件及其制造方法。DDDMOS元件形成于基板中，包含第一井区、栅极、扩散区、源极与漏极，且另有一低压元件形成于该基板中，包含第二井区以及轻掺杂漏极区，其中，第一井区与第二井区利用相同制程步骤形成，且扩散区与轻掺杂漏极区利用相同制程步骤形成。如此一来，根据本发明，高压DDDMOS元件，可利用与低压元件相同制程步骤形成。