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使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统
编号:S000019379 刷新日期: 有效日期至:2020-11-23 浏览:2374 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统,所述方法和系统实现了来自靶的金属前体材料和来自Se基生成系统的Se基的同时沉积。Se基生成系统包括产生Se蒸汽的蒸发器和使用等离子体生成Se基通量的等离子腔室。可以依次进行多个这种沉积操作,每一个操作具有准确控制的沉积温度。沉积材料可以包括组分浓度梯度或者可以是复合材料,并可以用作太阳能电池中的吸收层。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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