本发明提供了一种大功率半导体激光器过渡热沉及其制备方法，该过渡热沉包括基板、金属过渡层和焊料附着层；所述的基板为SiC晶片，该SiC晶片上表面和下表面分别依次蒸镀有钛或铬金属过渡层、金焊料附着层，上、下表面分别为A面、B面，A面上制作有绝缘槽。制备方法包括：SiC晶体线切割成晶片；清洗；SiC晶片表面金属化；将已金属化的晶片A面刻蚀绝缘槽；分割成单个激光器过渡热沉。本发明的基于SiC晶体的大功率激光器过渡热沉的导热性能优于氮化铝陶瓷基板的过渡热沉，大小尺寸精确，可根据大功率激光器封装需要灵活确定。