本发明提供了一种金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法。根据本发明的铜互连形成方法包括：提供基底；在基底上淀积阻挡薄膜；在阻挡薄膜上淀积介质薄膜；在介质薄膜上淀积金属硬掩膜层；对金属硬掩膜层进行紫外光照射处理；在金属硬掩膜层上淀积硬掩膜覆盖层；执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀介质薄膜、硬掩膜以及硬掩膜覆盖层，从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔。根据本发明，经过紫外光照射处理，金属硬掩膜层薄膜内部较弱的化学键会被去除，提高了金属硬掩膜层薄膜的质量；金属硬掩膜层薄膜产生收缩，使得金属硬掩膜层薄膜收缩而产生趋向拉伸的应力，从而能够抵消部分金属硬掩膜层薄膜中较大的压应力。