本发明提供一种沟槽的填埋方法以及半导体集成电路装置的制造方法，该沟槽的填埋方法具备以下工序：在形成有沟槽的半导体基板上形成硅氧化物衬层的工序，该沟槽包含具有第1最小分离宽度的窄幅部、以及具有比上述第1最小分离宽度宽的第2最小分离宽度的宽幅部；在上述硅氧化物衬层上形成氧化阻挡膜的工序；在上述氧化阻挡膜上形成硅衬层的工序；利用第1填埋材料对上述沟槽的窄幅部进行填埋的工序；利用第2填埋材料对上述沟槽的宽幅部进行填埋的工序；以及对上述硅衬层进行氧化处理的工序。