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降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构
编号:S000019332 刷新日期: 有效日期至:2020-10-30 浏览:2448 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声,并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱(“DNW”)隔离结构,DNW隔离结构围绕RF(射频)器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中,还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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