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> 技术详情
一种具有电流采样功能的横向双扩散金属氧化物半导体器件
编号:S000019323
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-02
浏览:
2412
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 - 四川
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
合作研发
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种具有电流采样功能的LDMOS器件,属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件(100)和电流检测LDMOS器件(101)。本发明通过控制主功率器件和电流检测功率器件的沟道区宽度之比以实现电流采样。通过主功率器件和电流检测功率器件共用漏极结构以达到节省芯片面积的目的;同时通过短接主功率器件和电流采样功率器件各自的P+接触区和N+接触区(与各自的源极金属相连),并且将电流采样功率器件的P型体区做在一个N阱中、使得电流采样功率器件的P型体区与衬底完全隔离,实现了电流检测功率器件的源极电压浮动且消除了衬底去偏置效应,最终使得电流检测功率器件对主功率器件电流进行准确采样的目的。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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