本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，属于红外探测器的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述与互补金属氧化物半导体工艺兼容的热电堆红外探测器，包括承载衬底；所述承载衬底上设有隔离支撑层，所述隔离支撑层上方对应隔离槽的两侧设置对称分布的热电堆，所述热电堆通过隔离槽相隔离，且所述隔离槽两侧的热电堆电连接成一体；所述热电堆上覆盖有第四介质层，第四介质层上设有红外吸收层，红外吸收层通过热传导支撑柱支撑在第四介质层上，红外吸收层通过热传导支撑柱与热电堆间形成绝热腔，所述绝热腔与隔离槽相连通。本发明结构简单紧凑，体积小，占空因子高，制造工艺简单，适应性好。