本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括制造集成电路，并将集成电路封装；其中制造集成电路包括：提供芯片；制造引线支架；固定芯片，引出引线及封装。其中制造引线支架包括：熔融，注入坯模，冷却；将铸坯热轧压延；将热轧带材反复进行冷轧压延和双级连续退火；冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行低温退火，得到带材成品，制造过程中控制成分含量Fe2.0～2.6wt％、Ti0.05～0.1wt％、B0.01～0.03wt％、Na0～0.05wt％、Mo0.01～1.5wt％、其余为Cu和杂质。本发明的铜铁合金合金组织均匀、析出相细小弥散，抗拉强度高、硬度高、电导率高、延伸率高，能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求。