本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：在基底上形成栅极并在栅极靠近漏极区域的一侧形成离子注入屏蔽侧墙；以所述栅极和离子注入屏蔽侧墙为掩膜，对所述基底进行重掺杂离子注入，形成源极和漏极；去除所述离子注入屏蔽侧墙；对所述基底进行轻掺杂离子注入，在所述栅极和漏极之间的基底中形成轻掺杂区域。利用本发明的方法，可以避免现有技术中的光刻工艺的对准问题，同时也解决了光刻胶在沉积高温工艺中的变形和污染问题。