本发明公开了一种金属氧化物半导体测试结构。划片槽区域位在基材上，基材为第一导电类型，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层位于第一面上、第二导电类型的掺杂井位于外延层上、而第一导电类型的掺杂区域位于掺杂井上。具有第一深度的沟渠式栅极位于掺杂区域、掺杂井和在划片槽区域中。导电材料填入具有第二深度的测试通孔中，并且隔离结构覆盖测试通孔的内壁，又位于掺杂井、掺杂区域、外延层、与划片槽区域中，而电连接至外延层，使得测试通孔得以一起测试外延层和基材。